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2所承擔的碳化硅mini線項目成功研制出第一片SiC芯片
來源:新聞中心
發布時間:2022年03月24日 編輯:新聞中心

  近日,2所承擔的碳化硅mini線項目成功研制出第一片6英寸SiC芯片。為按時完成下一步節點目標,碳化硅應用事業部項目團隊在精確分析芯片測試數據后,對芯片設計及工藝進行調整優化,并開展新一輪流片工作。各工藝段人員輪流堅守崗位,確保五月底產出合格芯片。

 

(來源:2所 馮旭)

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